BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]

Артикул: BSZ160N10NS3G ATMA1
PartNumber: BSZ160N10NS3GATMA1
Ном. номер: 9000311810
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]
Фото 2/4 BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]Фото 3/4 BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]Фото 4/4 BSZ160N10NS3G ATMA1, Транзистор N-CH 100V 40A [TSDSON-8]
Доступно на заказ 52 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
280 руб. × = 560 руб.
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 120 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60V and over
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet BSZ160N10NS3G ATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1
Datasheet BSZ160N10NS3G ATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1