BSZ900N20NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 15.2 А, 200 В, 0.077 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: BSZ900N20NS3GATMA1
Ном. номер: 8251775607
Производитель: Infineon Technologies
140 руб.
1895 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 120 руб.
от 100 шт. — 97 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 700 руб.

The BSZ900N20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.

• Industry's lowest RDS (ON)
• Lowest Qg and Qgd
• World's lowest FOM and MSL 1 rated
• Highest efficiency
• Highest power density
• Minimal device paralleling required
• Environmentally friendly
• Easy-to-design-in products
• Qualified according to JEDEC for target application
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Вес
Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Соответствует Фталатам RoHS
да

Дополнительная информация

Datasheet BSZ900N20NS3GATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.