BTW69-1200N, Тиристор; 1,2кВ; 31А; 50А; 50мА; Упаковка: туба; THT; TOP3

Фото 1/3 BTW69-1200N, Тиристор; 1,2кВ; 31А; 50А; 50мА; Упаковка: туба; THT; TOP3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26 шт., срок 7 недель
1 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 440 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021948728
Артикул: BTW69-1200N
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Gate Trigger Current - Igt: 50 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 100 mA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 5 V
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 10 uA
On-State RMS Current - It RMS: 50 A
Package / Case: TOP-3
Packaging: Tube
Product Category: SCRs
Product Type: SCRs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 1.2 kV
Series: BTW69-1200N
Subcategory: Thyristors
Maximum Gate Trigger Current 50mA
Maximum Gate Trigger Voltage 1.3V
Maximum Holding Current 100mA
Maximum Operating Temperature +125 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TOP3
Peak On-State Voltage 1.6V
Pin Count 3
Rated Average On-State Current 31A
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage 1200V
Surge Current Rating 763A
Thyristor Type SCR
Вес, г 7.21

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.