BUK6607-55C,118, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 100 А, 0.0055 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 2/2 BUK6607-55C,118, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 100 А, 0.0055 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Фото 1/2 BUK6607-55C,118, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 100 А, 0.0055 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
290 руб.
от 10 шт.253 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003629715
Артикул: BUK6607-55C,118
Производитель: Nexperia

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 55V 100A (Tc) 158W (Tc) Поверхностный монтаж D2PAK

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность 158Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 100А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0055Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 2.3В
Линейка Продукции TrenchMOS Series
Transistor Mounting Surface Mount
Base Product Number BUK6607 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5160pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 25A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet BUK6607-55C,118
pdf, 926 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах