BUK964R2-55B,118, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 75 А, 0.0031 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 1/2 BUK964R2-55B,118, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 75 А, 0.0031 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4665 шт., срок 8-10 недель
870 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.780 руб.
от 100 шт.581 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 480 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8797485605
Артикул: BUK964R2-55B,118
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

МОП-транзистор HIGH PERF TRENCHMOS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 191 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Qg - заряд затвора 95 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 15 V, + 15 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 232 ns
Время спада 178 ns
Высота 4.5 mm
Длина 10.3 mm
Другие названия товара № 934057093118
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 273 ns
Типичное время задержки при включении 63 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.4 mm
Automotive Standard AEC-Q101
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 191 A
Maximum Drain Source Resistance 8.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Source Voltage 15 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.3V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 300 W
Minimum Gate Threshold Voltage 0.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series BUK964R2
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 95 nC @ 5 V
Width 11mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.