BUT11AFTU, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 40 Вт, 5 А

Фото 2/3 BUT11AFTU, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 40 Вт, 5 АФото 3/3 BUT11AFTU, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 40 Вт, 5 А
Фото 1/3 BUT11AFTU, Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 40 Вт, 5 А
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
567 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
250 руб.
от 10 шт.191 руб.
от 100 шт.135 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8750417105
Артикул: BUT11AFTU
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BUT11AFTU is a 450V NPN Silicon Transistor for high voltage power switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 1µs Turn on time
• 0.8µs Fall time

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 450В
Стиль Корпуса Транзистора TO-220F
Рассеиваемая Мощность 40Вт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,3 В
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 1000 V
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 450 В
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 40 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 5 A
Тип транзистора NPN-NO/NC
Высота 15.87мм
Число контактов 3
Размеры 10.16 x 4.7 x 15.87мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 9 В
Pd - рассеивание мощности 40000 mW
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.19 mm
Длина 10.16 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 1 kV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 9 V
Непрерывный коллекторный ток 5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BUT11AF
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Base Product Number BUT11 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 40W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220F
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Вес, г 2.27

Дополнительная информация

Datasheet BUT11AFTU
Datasheet BUT11AFTU
Datasheet BUT11AFTU

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах