BUT11AFTU, Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 3 шт. — 450 руб.

от 10 шт. — 384 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8008479372

Артикул: BUT11AFTU

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 450В, 5А, 40Вт, TO220F Характеристики

Pd - рассеивание мощности	40000 mW
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.19 mm
Длина	10.16 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	1 kV
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	9 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BUT11AF
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Maximum Collector Base Voltage	1000 V
Maximum Collector Emitter Voltage	450 V
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Emitter Base Voltage	9 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum DC Current Gain	0
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220F
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	2.2