BUT11AI, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=100Вт [TO-220]
![BUT11AI, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
147 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 15 шт. —
128 руб.
от 150 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000430234
Артикул: BUT11AI
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Inchange Semiconductor
Технические параметры
Структура | npn | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 450 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 2.5 | |
Техническая документация
ISCSEMI BUT... Bipolar Transistots
pdf, 97 КБ
Datasheet BUT11
pdf, 121 КБ
ISC new catalogue
pdf, 2862 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Цена и наличие в магазинах
С этим товаром покупают