BUZ11A, Транзистор полевой, N-канал, Id=25А, Vdss=50В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=0.055 Ом [TO-220]

BUZ11A, Транзистор полевой, N-канал, Id=25А, Vdss=50В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=0.055 Ом [TO-220]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
145 шт. со склада г.Москва
190 руб.
от 15 шт.159 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000442955
Артикул: BUZ11A
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: Inchange Semiconductor

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.055 Ом/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Крутизна характеристики, S 8
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

ISCSEMI BUZ... MOSFETs
pdf, 74 КБ
Datasheet BUZ11A
pdf, 68 КБ
ISC new catalogue
pdf, 2862 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах