BUZ900DP, MOSFET N-Channel 160V 16A

PartNumber: BUZ900DP
Ном. номер: 8058472006
Производитель: Magnatec
BUZ900DP, MOSFET N-Channel 160V 16A
Доступно на заказ более 2 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
2 030 × = 2 030
от 25 шт. — 1 320 руб.

Описание

N-Channel MOSFET Transistors, Semelab

MOSFET Transistors, Semelab

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
39 x 25 x 8.7mm
высота
8.7mm
длина
39mm
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
160 V
Maximum Gate Source Voltage
±14 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
125 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-3
Pin Count
3
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
100 ns
ширина
25mm

Дополнительная информация

BUZ900/1 N-Channel Power MOSFETs Data Sheet BUZ900DP