BZT52H-C9V1, Diode, NXP

PartNumber: BZT52H-C9V1
Ном. номер: 8046017895
Производитель: NXP Semiconductor
BZT52H-C9V1, Diode, NXP
Доступно на заказ более 1000 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
5 руб. × = 1 000 руб.
Цена указана за упаковку из 200
Количество товаров должно быть кратно 200 уп.
от 400 уп. — 2.40 руб.
от 1000 уп. — 1.86 руб.

Описание

Zener Diodes 830mW, BZT52H Series, NXP Semiconductors

Zener Diodes, NXP Semiconductors

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
2.7 x 1.7 x 1.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
830 Вт
Максимальный обратный ток утечки
0.5µA
Максимальный импеданс Зенера
10Ω
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
9.1V
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOD-123F
Число контактов
3
Испытательный ток
5mA
Типичный температурный коэффициент напряжения
3.8 → 7мВ/К
Ширина
1.7mm
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Тип диода Зенера
General Purpose
Diode Configuration
Single
Высота
1.2mm
Длина
2.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BZT52H series BZT52H-C9V1