C2M0025120D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 90 А, 1.2 кВ, 0.025 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
152 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 240 руб.
от 5 шт. —
18 430 руб.
от 10 шт. —
17 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 240 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Карбид Кремния (SiC) МОП-транзистор и модули
Описание Транзистор полевой C2M0025120D от производителя Wolfspeed – это мощный компонент для силовой электроники с монтажом THT. Отличительной чертой данной модели является высокий ток стока в 90 А и напряжение сток-исток, достигающее 1200 В. Мощность устройства составляет 463 Вт, что гарантирует его надежность в сложных условиях работы. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,034 Ом обеспечивает высокую эффективность. Транзистор выполнен в корпусе TO247-3, что упрощает его установку на печатную плату. Используя модель C2M0025120D, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электронной аппаратуры. Код товара для заказа: C2M0025120D. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 90 |
| Напряжение сток-исток, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 463 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.034 |
| Корпус | TO247-3 |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 90 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 463 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 21.1мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 23.6S |
| Высота | 5.21мм |
| Размеры | 16.13 x 21.1 x 5.21мм |
| Материал транзистора | SiC |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 14 нс |
| Производитель | Wolfspeed |
| Типичное время задержки выключения | 29 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 34 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 161 нКл при 20 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 2788 пФ при 1000 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | +25 В |
| Прямое напряжение диода | 3.3V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 3.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 463 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 161 nC @ 20 V |
| Width | 21.1mm |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
