C2M1000170J, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 5,3А, 78Вт, D2PAK-7, SiC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва
2 470 руб.
от 3 шт. —
2 180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 470 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 5,3А, 78Вт, D2PAK-7, SiC
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 10.99мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 0.82S |
| Высота | 4.57мм |
| Размеры | 10.23 x 10.99 x 4.57мм |
| Материал транзистора | SiC |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.23мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 4 нс |
| Производитель | Wolfspeed |
| Типичное время задержки выключения | 10,8 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,4 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1700 В |
| Число контактов | 7 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 20 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 200 пФ при 1000 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +25 В |
| Прямое напряжение диода | 3.8V |
| Вес, г | 1.38 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
