C3M0065090D, N-chan SiC MOSFET 900V 36

PartNumber: C3M0065090D
Ном. номер: 8038292164
Производитель: Cree
C3M0065090D, N-chan SiC MOSFET 900V 36
Доступно на заказ более 2 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
1 760 руб. × = 1 760 руб.

Описание

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 21.1 x 5.21
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Максимальное напряжение затвор-исток
18 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
30.4 нКл при 15 В
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 600 В
Типичное время задержки выключения
28 ns
Типичное время задержки включения
23 лм
Ширина
21.1mm
Новинки
только новые товары
Прямое напряжение диода
4.8V
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Высота
5.21mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

C3M0065090D Silicon Carbide Power MOSFET C3M0065090D