C3M0120100K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 22 А, 1 кВ, 0.12 Ом, TO-247

C3M0120100K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 22 А, 1 кВ, 0.12 Ом, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
599 шт., срок 8-10 недель
2 770 руб.
от 5 шт.2 600 руб.
от 10 шт.2 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 770 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8955498631
Артикул: C3M0120100K
Бренд: WOLFSPEED

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Карбид Кремния (SiC) МОП-транзистор и модули
C3M0120100K Silicon Carbide Power MOSFET

Wolfspeed C3M0120100K Silicon Carbide Power MOSFET has 1kV in an optimized package suitable for fast switching devices. The C3M0120100K enhanced four lead TO-247-4 package provides lower switching losses with minimal gate circuit ringing due to the Kelvin gate connection. This feature increases creepage distance to support the operation of these higher voltage discrete devices. By optimizing electric-vehicle charging systems and three-phase industrial power supplies, the 1kV device addresses many power design challenges by providing a unique device. Wolfspeed C3M0120100K has low on-resistance, very low output capacitance, and low source inductance for a perfect blend of low switching losses and low conduction losses.

Технические параметры

Brand: Wolfspeed
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 8 ns
Forward Transconductance - Min: 7.7 S
Id - Continuous Drain Current: 22 A
Manufacturer: Wolfspeed
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 83 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 21.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 120 mOhms
Rise Time: 15 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: SiC
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 19 ns
Typical Turn-On Delay Time: 31 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -4 V, +15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
Вес, г 8.82

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.