CCS050M12CM2, Silicon Carbide MOSFET, упаковка из 6, Half Bridge, N Channel, 87 А, 1.2 кВ, 0.025 Ом, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
145 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 145 500 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
The CCS050M12CM2 is a 3-phase silicon Carbide Module with zero turn-off tail current, high frequency operation, enables compact and lightweight system, high efficiency operation. Suitable for Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ diode.
• Ultra low loss
• Zero reverse recovery current
• Ease of transistor gate control
• Reduced cooling requirements
• 250A Pulsed drain current
• 150°C Junction temperature
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Power Dissipation | 337Вт |
| Количество Выводов | 20вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 87А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 337Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Вес, г | 329.3 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
