CM100DY-24NF, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (NF-Series)

Фото 1/2 CM100DY-24NF, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (NF-Series)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 CM100DY-24NF, 2 IGBT 1200V 100A 5-gen (NF-Series)
4 шт. со склада г.Москва
11 800 руб.
от 2 шт.10 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 800 руб.
Номенклатурный номер: 113620410
PartNumber: CM100DY-24NF
Страна происхождения: ФИЛИППИНЫ
Бренд / Производитель: Mitsubishi

Описание

IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.
5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.

Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.

Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов

Технические параметры

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 80
Входная емкость затвора,нФ 23
Драйвер управления VLA504
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Защита по току нет
Макс.напр.к-э,В 1200
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 650
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Максимальный ток эмиттера, А 200
Напряжение изоляции, В 2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах