CM300DY-12NF, IGBT Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 860 руб.
от 5 шт. —
40 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 860 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 300А |
| DC Ток Коллектора | 300А |
| Power Dissipation | 780Вт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | NF Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 780Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench Gate) |
| Вес, г | 314.4 |
Техническая документация
Datasheet CM300DY-12NF
pdf, 54 КБ
Mitsubishi Power Devices General Catalog
pdf, 1982 КБ
Силовые IGBT модули
pdf, 165 КБ
