Добавить к сравнению Сравнить ()

CM450HA-5F, 1 IGBT RTC 250V 450A 4-gen (F-Series)

Ном. номер: 919761094
PartNumber: CM450HA-5F
Производитель: Mitsubishi
CM450HA-5F, 1 IGBT RTC 250V 450A 4-gen (F-Series)
9 370 руб.
5 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
от 2 шт. — 9 290 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 370 руб.
Купить в 1 клик
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В
250
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
450
Структура модуля
одиночный транзистор
Тип силового модуля
Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
20
Входная емкость затвора,нФ
132
Драйвер управления
VLA503
Защита по току
нет
Защита от короткого замыкания
нет
Защита от перегрева
нет
Защита от пониженного напряжения питания
нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
735
Максимальный ток эмиттера, А
900
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.85
Напряжение изоляции, В
2500
Температурный диапазон,С
-40...150

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.