Добавить к сравнению Сравнить ()

CM600HU-12F, 1 IGBT 600V 600A RTC (F-Series)

Ном. номер: 746330149
PartNumber: CM600HU-12F
Производитель: Mitsubishi
Фото 1/2 CM600HU-12F, 1 IGBT 600V 600A RTC (F-Series)
Фото 2/2 CM600HU-12F, 1 IGBT 600V 600A RTC (F-Series)
6 300 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 4 шт. — 6 150 руб.
от 40 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 300 руб.
Купить в 1 клик
В кредит от 310 руб./мес
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В
600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
600
Структура модуля
одиночный транзистор
Тип силового модуля
Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
20
Входная емкость затвора,нФ
160
Драйвер управления
VLA503
Защита по току
нет
Защита от короткого замыкания
нет
Защита от перегрева
нет
Защита от пониженного напряжения питания
нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
1420
Максимальный ток эмиттера, А
1200
Напряжение изоляции, В
2500
Температурный диапазон,С
-40...150

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.