Добавить к сравнению Сравнить ()

CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)

Ном. номер: 835610975
PartNumber: CM75TU-24F
Производитель: Mitsubishi
Фото 1/2 CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)
Фото 2/2 CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)
12 030 руб.
12 шт. со склада г.Москва,
срок 3 рабочих дня
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 030 руб.
Купить в 1 клик
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические параметры

Макс.напр.к-э,В
1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
75
Структура модуля
3-фазный мост
Тип силового модуля
Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
20
Входная емкость затвора,нФ
29
Драйвер управления
внешний
Защита по току
нет
Защита от короткого замыкания
нет
Защита от перегрева
нет
Защита от пониженного напряжения питания
нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
450
Максимальный ток эмиттера, А
150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
6
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.8
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
50
Напряжение изоляции, В
2500
Температурный диапазон,С
-40...150

Техническая документация

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.