CPC5603CTR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 415В, 0,13А, 2,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 415В, 0,13А, 2,5Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS Integrated Circuits |
Channel Mode: | Depletion |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 5 mA |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-223-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 Ohms |
Series: | CPC5603 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | Clare |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 415 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.6 V |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов