CSD15380F3T, MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
141 руб.
от 250 шт. —
135.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.64 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 216 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.46 Ohms |
| Rise Time: | 1 ns |
| Series: | CSD15380F3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PicoStar |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 850 mV |
| Base Product Number | CSD15380 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.281nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10.5pF @ 10V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1190mOhm @ 100mA, 8V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.35V @ 2.5ВµA |
| Вес, г | 0.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
