CSD16410Q5A, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

от 10 шт. — 170 руб.

от 100 шт. — 125 руб.

от 500 шт. — 100.24 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.

Номенклатурный номер: 8005467023

Артикул: CSD16410Q5A

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs

Id - непрерывный ток утечки	60 A
Pd - рассеивание мощности	3 W
Qg - заряд затвора	3.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.9 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10.7 ns
Время спада	3.6 ns
Высота	1 mm
Длина	6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	38 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	CSD16410Q5A
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	6.5 ns
Типичное время задержки при включении	6.2 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	VSONP-8
Ширина	4.9 mm
Вес, г	0.1

pdf, 218 КБ

Мы рекомендуем