Мой регион: Россия

CSD17308Q3T, 30V N-CH NEXFET MOSFET VSON-CLIP8

Ном. номер: 8000002346
PartNumber: CSD17308Q3T
Производитель: Texas Instruments
CSD17308Q3T, 30V N-CH NEXFET MOSFET VSON-CLIP8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
91 руб.
76 руб.
260 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 30 шт. — 64 руб.
от 60 шт. — 54 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 760 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Тип корпуса
VSON-CLIP
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
37S
Высота
1.1мм
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
Texas Instruments
Типичное время задержки выключения
9,9 нс
Серия
NexFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Максимальное сопротивление сток-исток
16,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7,4 нКл
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
540 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.