CSD18534Q5A, Транзистор N-MOSFET 60В 13/50А [VSONP-8 (5x6).]
![CSD18534Q5A, Транзистор N-MOSFET 60В 13/50А [VSONP-8 (5x6).]](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC027214401.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
Номенклатурный номер
9001599740
Артикул
CSD18534Q5A
Бренд
Brand:
Texas Instruments
Channel Mode:
Enhancement
Configuration:
Single
Fall Time:
2 ns
Id - Continuous Drain Current:
100 A
Все параметры
2312081754_Tokmas-CSD18534Q5A-TOKMAS_C19626241
pdf, 12246 КБ
Все документы
73 шт. со склада г.Москва
80 руб.
от 50 шт. —
72 руб.
от 500 шт. —
по запросу
1 шт.
на сумму 80 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Этот же товар с другими ценами и сроками поставки
Описание
Отзывы
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 122 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.8 mOhms |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Series: | CSD18534Q5A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
2312081754_Tokmas-CSD18534Q5A-TOKMAS_C19626241
pdf, 12246 КБ
2410010301_Texas-Instruments-CSD18534Q5A_C115943
pdf, 382 КБ
Datasheet CSD18534Q5AT
pdf, 445 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
