CSD23202W10T, МОП-транзистор, P Канал, -2.2 А, -12 В, 0.044 Ом, -4.5 В, -600 мВ

PartNumber: CSD23202W10T
Ном. номер: 8011978970
Производитель: Texas Instruments
CSD23202W10T, МОП-транзистор, P Канал, -2.2 А, -12 В, 0.044 Ом, -4.5 В, -600 мВ
Доступно на заказ 316 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
50 руб. × = 50 руб.
от 10 шт. — 42 руб.
от 25 шт. — 38 руб.

Описание

The CSD23202W10T is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in a small 1 × 1mm outline. It has excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

• Ultra-low Qg and Qgd
• Low profile 0.62mm height
• 3kV Gate ESD protection
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
DSBGA
Рассеиваемая Мощность
1Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-12В
Непрерывный Ток Стока
-2.2А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.044Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-600мВ

Дополнительная информация

Datasheet CSD23202W10T