CSD86330Q3D, 25V 20A 6W 9.6mOhm@8V,14A 2.1V@250uA 2 N-Channel(Half BrIdge) LSON-8(3.3x3.3) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 30 шт. —
163 руб.
от 100 шт. —
135.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Development Kit: | CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 1.9 ns, 4.2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 52 S, 82 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | LSON-CLIP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC, 12 nC |
| Rise Time: | 7.5 ns, 6.3 ns |
| Series: | CSD86330Q3D |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns, 15.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 5.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V, 1.6 V |
| Вес, г | 0.27 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
