CY7C10612G30-10ZSXI, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 3В до 3.6В, TSOP-II, 54 вывод(-ов), 10 нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 720 руб.
от 10 шт. —
5 150 руб.
от 25 шт. —
4 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 720 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
SP005638259, CY7C10612G30-10ZSXI
Технические параметры
Время Доступа | 10нс |
Диапазон Напряжения Питания | 3В до 3.6В |
Количество Выводов | 54вывод(-ов) |
Конфигурация Памяти SRAM | 1М x 16бит |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Размер Памяти | 16Мбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 0.69 |
Техническая документация
Datasheet CY7C10612G30-10ZSXI
pdf, 449 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем