DMC3400SDW-13, Двойной МОП-транзистор, Complementary N and P Channel, 30 В, 30 В, 650 мА, 650 мА, 0.2 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
58 руб.
от 250 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Power MOSFETsDiodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Технические параметры
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.2Ом |
| Power Dissipation N Channel | 310мВт |
| Power Dissipation P Channel | 310мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 650мА |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 650мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 650мА |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Fall Time: | 18.8 ns, 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA, 450 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 390 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC, 1.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms, 900 mOhms |
| Rise Time: | 3.5 ns, 8.8 ns |
| Series: | DMC3400 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.2 ns, 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns, 5.7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV, 1 V |
| Вес, г | 0.145 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 415 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
