DMG1012UW-7, MOSFET N-Channel 20V 1A S

PartNumber: DMG1012UW-7
Ном. номер: 8029709589
Производитель: Diodes Incorporated
DMG1012UW-7, MOSFET N-Channel 20V 1A S
Доступно на заказ более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
9 руб. × = 900 руб.
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.
от 500 шт. — 5.40 руб.
от 1000 шт. — 3.64 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 1A to 5A, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
2.2 x 1.35 x 1mm
высота
1mm
длина
2.2mm
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Resistance
0.75 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±6 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.29 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-323
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
736.6 pC nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
60.67 pF@ 16 V
Typical Turn-Off Delay Time
26.7 ns
Typical Turn-On Delay Time
5.1 ns
ширина
1.35mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1V

Дополнительная информация

N-Channel Enhancement Mode Mosfet DMG1012UW-7