DMN10H700S-7, Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

DMN10H700S-7, Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт.15 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 48 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003304050
Артикул: DMN10H700S-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.54Ом
Power Dissipation 400мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 700мА
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 400мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.54Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet DMN10H700S-7
pdf, 596 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов