DMN10H700S-7, Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 48 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.54Ом |
Power Dissipation | 400мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 700мА |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.54Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DMN10H700S-7
pdf, 596 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов