Мой регион: Россия

DMN2011UFDF-7, N-CHANNEL MOSFET 20V 9.3A UDFN2020-6

Ном. номер: 8000002550
PartNumber: DMN2011UFDF-7
Производитель: Diodes Incorporated
DMN2011UFDF-7, N-CHANNEL MOSFET 20V 9.3A UDFN2020-6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 руб.
2900 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
38 руб. 2-3 недели, 1725 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 21 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
14,2 А
Тип корпуса
U-DFN2020
Максимальное рассеяние мощности
2.1 W
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
2.05мм
Высота
0.58мм
Размеры
2.05 x 2.05 x 0.58мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.05мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3.6 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
21,6 нс
Серия
DMN2011UFDF
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
35 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный полевой МОП-транзистор, Коммутируемый полевой МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
56 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2248 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.