Мой регион: Россия

DMN2050L-7, N-Channel Enhancement MOS

PartNumber: DMN2050L-7
Ном. номер: 8000005238
Производитель: Diodes Incorporated
DMN2050L-7, N-Channel Enhancement MOS
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 руб.
10100 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 600 шт. — 19 руб.
от 1500 шт. — 15 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7.90 руб. 3-4 недели, 21000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 7.80 руб.
от 12000 шт. — 7.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Высота
1.1мм
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,7 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
532 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.