DMN2112SN-7, N-Channel Enhancement Mod

PartNumber: DMN2112SN-7
Ном. номер: 8068844660
Производитель: Diodes Incorporated
DMN2112SN-7, N-Channel Enhancement Mod
Доступно на заказ более 200 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
21 руб. × = 1 050 руб.
Цена указана за упаковку из 50
Количество товаров должно быть кратно 50 уп.
от 250 уп. — 13 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Драйвер МОП-транзистора
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
3.1 x 1.7 x 1.3мм
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.25 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SC-59
Число контактов
3
Типичная входная емкость при Vds
220 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
75 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.3mm
Длина
3.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

DMN2112SN-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet DMN2112SN-7