Мой регион: Россия

DMN3016LDV-7, Dual N-chan MOSFET 30V 17

PartNumber: DMN3016LDV-7
Ном. номер: 8000002548
Производитель: Diodes Incorporated
DMN3016LDV-7, Dual N-chan MOSFET 30V 17
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
42 руб.
1940 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
54 руб. 2-3 недели, 1695 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 50 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
21 A
Тип корпуса
PDI3333
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.15мм
Высота
0.8мм
Размеры
3.15 x 3.15 x 0.8мм
Количество элементов на ИС
2
Длина
3.15мм
Transistor Configuration
Двойная база
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
DMN3016LDV
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
17 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный полевой МОП-транзистор, Коммутируемый полевой МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
21 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1184 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.