Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Diodes › DMN3190LDW-7, 30V 1A 0.32W 335m@4.5V,0.75A ...

DMN3190LDW-7, 30V 1A 0.32W 335m@4.5V,0.75A 2.8V@250uA 2 N-Channel SC-70-6SOT-363 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8003520653

Артикул

DMN3190LDW-7

Бренд

DIODES INC.

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Все параметры

Datasheet

pdf, 249 КБ

Все документы

58094 шт., срок 8-9 недель

12 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

от 500 шт. — 11 руб.

15 шт. на сумму 180 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения4

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	190 mOhms
Пороговое напряжение на затворе	-20 V, +20 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	1.3 A
Maximum Drain Source Resistance	335 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2 nC @ 10 V
Width	1.35mm
Brand:	Diodes Incorporated
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	15.6 ns
Forward Transconductance - Min:	0.7 mS
Id - Continuous Drain Current:	1 A
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	SOT-363-6
Pd - Power Dissipation:	400 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	2 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	190 mOhms
Rise Time:	8.9 ns
Series:	DMN3190
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	30.3 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Automotive	No
Configuration	Dual
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	1
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)	1
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	190@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	10000
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.8
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)	320
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	400
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)	0.4
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	2
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	1.5
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	6
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-363
Typical Fall Time (ns)	15.6
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	0.9@4.5V\|2@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	2.9
Typical Gate to Drain Charge (nC)	0.3
Typical Gate to Source Charge (nC)	0.3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	87@20V
Typical Output Capacitance (pF)	17
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	12@20V
Typical Rise Time (ns)	8.9
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	30.3
Typical Turn-On Delay Time (ns)	4.5
Case	SOT363
Drain current	0.9A
Drain-source voltage	30V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
On-state resistance	0.19Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.32W
Pulsed drain current	9.6A
Type of transistor	N-MOSFET x2
Вес, г	0.1