Мой регион: Россия

DMN6068SE-13, MOSFET N-Channel 60V 5.6A

PartNumber: DMN6068SE-13
Ном. номер: 8000004003
Производитель: Diodes Incorporated
DMN6068SE-13, MOSFET N-Channel 60V 5.6A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
49 руб.
18250 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 28 руб.
от 1000 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
11.30 руб. 3-4 недели, 8000 шт. 4000 шт. 4000 шт.
от 8000 шт. — 11.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
5,6 А
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
3,7 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.7мм
Высота
1.65мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3.6 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
11,9 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
10,3 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
502 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.