DMN62D1LFD-7, N-CH Enhancement Mode MOS

PartNumber: DMN62D1LFD-7
Ном. номер: 8028269866
Производитель: Diodes Incorporated
DMN62D1LFD-7, N-CH Enhancement Mode MOS
Доступно на заказ более 300 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
15 руб. × = 750 руб.
Цена указана за упаковку из 50
Количество товаров должно быть кратно 50 уп.
от 250 уп. — 7.60 руб.
от 1000 уп. — 5.36 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Переключатель управления питанием
Типичная входная емкость при Vds
36 pF @ 25 V
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
0.55 нКл при -4.5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
2.1 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
1.25 x 1.25 x 0.48мм
Длина
1.25mm
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Тип корпуса
X1DFN
Максимальный непрерывный ток стока
0.4 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.48mm
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ом
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.25mm
Максимальное рассеяние мощности
0.5 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Типичное время задержки выключения
21 нс
Прямое напряжение диода
1.3V

Дополнительная информация

DMN62D1LFD, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DMN62D1LFD-7