DMN63D8LDW-7, Dual N-Ch Enhancement MOS

PartNumber: DMN63D8LDW-7
Ном. номер: 8027519427
Производитель: Diodes Incorporated
DMN63D8LDW-7, Dual N-Ch Enhancement MOS
Доступно на заказ более 500 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
9 руб. × = 900 руб.
Цена указана за упаковку из 100
Количество товаров должно быть кратно 100 уп.
от 500 уп. — 6.80 руб.
от 1000 уп. — 4.56 руб.

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Dual
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
0.26 А
Максимальное сопротивление сток-исток
13 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.4 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOT-363
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
0.87 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
22 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
12 нс
Типичное время задержки включения
3.3 ns
Ширина
1.35mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Высота
1mm
Длина
2.2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

DMN63D8LDW-7 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet DMN63D8LDW-7