DMN90H2D2HCTI

PartNumber: DMN90H2D2HCTI
Ном. номер: 8146901002
Производитель: Diodes Incorporated
DMN90H2D2HCTI
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Доступно на заказ 25 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва
2-3 недели
от 25 шт. — 110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
150 руб. 220 шт. 2-3 недели 5 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 106 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.46мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
39 нс
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
51 нс
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Серия
DMN90H2D2HCTI
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
16.27мм
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Высота
4.9мм
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Число контактов
3
Размеры
10.46 x 16.27 x 4.9мм
Категория
Мощный полевой МОП-транзистор, Коммутируемый полевой МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
20,3 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1487 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Дополнительная информация

DMN90H2D2HCTI N-channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.