Мой регион: Россия

DMN90H2D2HCTI, N-channel MOSFET 900V 6A

PartNumber: DMN90H2D2HCTI
Ном. номер: 8000002586
Производитель: Diodes Incorporated
DMN90H2D2HCTI, N-channel MOSFET 900V 6A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
205 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 110 руб.
от 100 шт. — 72 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 850 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
16.27мм
Высота
4.9мм
Размеры
10.46 x 16.27 x 4.9мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.46мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
39 нс
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
51 нс
Серия
DMN90H2D2HCTI
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
2.2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Число контактов
3
Категория
Мощный полевой МОП-транзистор, Коммутируемый полевой МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
20,3 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1487 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.