DMP2035U-7, Транзистор полевой P-канальный 20В 3.6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 82 шт. —
16 руб.
от 164 шт. —
14 руб.
от 328 шт. —
13 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 475 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.6A
Технические параметры
| Корпус | SOT23-3 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.9 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 35 4.5V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 | |
| Maximum IDSS (uA) | 1 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Supplier Package | SOT-23 | |
| Supplier Temperature Grade | Automotive | |
| Typical Fall Time (ns) | 42.4 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15.4 4.5V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1610 10V | |
| Typical Rise Time (ns) | 12.4 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 94.1 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16.8 | |
| Drain Source On State Resistance | 0.023Ом | |
| Power Dissipation | 810мВт | |
| Квалификация | - | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | - | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В | |
| Непрерывный Ток Стока | 3.6А | |
| Полярность Транзистора | P Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ | |
| Рассеиваемая Мощность | 810мВт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.023Ом | |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 62 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 810 mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.4 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Brand: | Diodes Incorporated | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 42.4 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.9 A | |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Qg - Gate Charge: | 15.4 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms | |
| Rise Time: | 12.4 ns | |
| Series: | DMP2035 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 94.1 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.8 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | |
| Вес, г | 1.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 481 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
