DMP3056L-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 1,38Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
36 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -3,4А, 1,38Вт, SOT23
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4.3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 6A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 642pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1.38W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.8nC@10V |
Type | P Channel |
Case | SOT23 |
Drain current | -3.4A |
Drain-source voltage | -30V |
Gate-source voltage | ±25V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 70mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.38W |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 1.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 501 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов