DMP3056LSD, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 6.9 А, 0.045 Ом, SOIC, Surface Mount
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
151 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 7.3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V, 7.3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | 2 P-Channel |
| Вес, г | 0.074 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
