DMS3015SSS-13, N-Ch Enhancement MOSFET

PartNumber: DMS3015SSS-13
Ном. номер: 8033835782
Производитель: Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13, N-Ch Enhancement MOSFET
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
29 руб. × = 725 руб.
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Semiconductors

Технические параметры

Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Размеры
4.95 x 3.95 x 1.5мм
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0149 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.55 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
30.6 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1276 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
29.7 нс
Типичное время задержки включения
15.8 нс
Ширина
3.95mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
1.5mm
Длина
4.95mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

N-Channel Enhancement Mode Mosfet With Schottky Diode Datasheet DMS3015SSS-13