Мой регион: Россия

DN2530N3-G, МОП-транзистор, N Канал, 175 мА, 300 В, 12 Ом, 0 В

Ном. номер: 8157601959
PartNumber: DN2530N3-G
Производитель: Microchip
Фото 1/3 DN2530N3-G, МОП-транзистор, N Канал, 175 мА, 300 В, 12 Ом, 0 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 DN2530N3-G, МОП-транзистор, N Канал, 175 мА, 300 В, 12 Ом, 0 ВФото 3/3 DN2530N3-G, МОП-транзистор, N Канал, 175 мА, 300 В, 12 Ом, 0 В
62 руб.
610 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 57 руб.
от 26 шт. — 52 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
81 руб. 8 дней, 70 шт. 10 шт. 10 шт.
от 30 шт. — 58 руб.
64 руб. 3-4 недели, 37 шт. 1 шт. 2 шт.
от 25 шт. — 52.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The DN2530N3-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizes an advanced vertical diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) structure and a well proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power-handling capabilities of bipolar transistors, plus the high-input impedance and positive-temperature coefficient inherent in metal-oxide semiconductor (MOS) devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS field-effect transistor (FET) is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.

• Low ON-resistance
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakages

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Микрокристалл
Типичное время задержки выключения
15 нс
Максимальный непрерывный ток стока
175 мА
Тип корпуса
TO-92
Максимальное рассеяние мощности
740 мВт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.19мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Высота
5.33мм
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Число контактов
3
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Опускание
Типичная входная емкость при Vds
300 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.25

Дополнительная информация

Datasheet DN2530N3-G
Datasheet DN2530N3-G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.