DN3135N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 135 мА, 350 В, 35 Ом, 0 В

PartNumber: DN3135N8-G
Ном. номер: 8084765937
Производитель: Microchip
DN3135N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 135 мА, 350 В, 35 Ом, 0 В
Доступно на заказ 965 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
60 руб. × = 60 руб.
от 10 шт. — 54 руб.
от 25 шт. — 44 руб.

Описание

The DN3135N8-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizing an advanced vertical DMOS structure and Supertex's well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. It is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.

• Low ON-resistance
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakage

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-89
Рассеиваемая Мощность
1.3Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
350В
Непрерывный Ток Стока
135мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
35Ом
Напряжение Измерения Rds(on)

Дополнительная информация

Datasheet DN3135N8-G