DSS2540M-7, 40V 0.5A BJT NPN Trans D

PartNumber: DSS2540M-7
Ном. номер: 8055686505
Производитель: Diodes Incorporated
DSS2540M-7, 40V 0.5A BJT NPN Trans D
Доступно на заказ более 300 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
13 руб. × = 650 руб.
Цена указана за упаковку из 50
Количество товаров должно быть кратно 50 уп.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Up to 1.5A, Diodes Inc

Bipolar Transistors, Diodes Inc

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Высота
0.47мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1000 мВт
Ширина
0.675мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение коллектор-база
40 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
250 mV
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Максимальный пост. ток коллектора
0.5 A
Тип транзистора
NPN
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.2 V
Материал транзистора
Кремний
Размеры
1.075 x 0.675 x 0.47мм
Длина
1.08mm
Тип корпуса
DFN

Дополнительная информация

DSS2540M, 40V NPN Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Transistor DSS2540M-7