Мой регион: Россия

DSS4160FDB-7, Dual NPN Transistor 60V 1

PartNumber: DSS4160FDB-7
Ном. номер: 8000002543
Производитель: Diodes Incorporated
DSS4160FDB-7, Dual NPN Transistor 60V 1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
43 руб.
2960 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 860 руб.
Small Signal Dual NPN Transistors, Diodes Inc

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
240 mV
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Длина
2.07мм
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
U-DFN2020
Максимальное рассеяние мощности
2,47 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
2.07мм
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Тип транзистора
NPN
Высота
0.55мм
Число контактов
6
Размеры
2.07 x 2.07 x 0.55мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.