DSS5160V-7, 60V 600mW 150@500mA,5V 1A PNP SOT-563 Bipolar BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

8022392277

Артикул

DSS5160V-7

Бренд

Brand:

Diodes Incorporated

Collector- Base Voltage VCBO:

80 V

Configuration:

Single

Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V

Gain Bandwidth Product fT:

150 MHz

Все параметры

pdf, 118 КБ

2830 шт., срок 8-9 недель

26 руб.

Мин. кол-во для заказа 10 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 21 руб.

от 150 шт. — 19 руб.

от 500 шт. — 16.22 руб.

10 шт. на сумму 260 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Описание Отзывы

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	340 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-563-6
Pd - Power Dissipation:	600 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	DSS51
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Collector Current (Ic)	1A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	330mV@1A, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	150@500mA, 5V
Power Dissipation (Pd)	600mW
Transistor Type	PNP
Transition Frequency (fT)	150MHz
Вес, г	1